Doktorské studium

Studijní obor Fyzika kondenzovaných látek

Název práce: Studium dislokací v relaxovaných polovodičových epitaxních vrstvách metodami rtg rozptylu

Školitel: prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Oficiální zadání:
Relaxované polovodičové epitaxní vrstvy (např. Ge na Si) se používají v polovodičové tech-nologii jako virtuální substráty pro některé polovodičové prvky jako např. high-mobility tran-sistors (HEMT). Parametry těchto prvků jsou nepříznivě ovlivňovány dislokacemi pronika-jícími do funkční struktury z virtuálního substrátu. Cílem dizertace je vypracovat metodu stanovení hustot a korelačních funkcí poloh misfit a threading dislokací v relaxovaných vrstvách Ge a GaAs na Si pomocí rtg difrakce. Tato metoda bude aplikována na vzorky získané ze spolupracujících pracovišť, zejména z Univerzity v Linzi a z ústavu CEA v Greno-blu. Kromě rutinní charakterizace vzorku v rtg laboratoři katedry bude většina měření prováděna na synchrotronu. Data budou vyhodnocena s použitím vyvinutého teoretického postupu a výsledky budou srovnány s pozorováními transmisní elektronovou mikroskopií a AFM (Univerzita Linz).
Literatura:
HOLÝ, Václav, Ullrich PIETSCH a Tilo BAUMBACH. High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures. New York, Berlin, Heidelberg: Springer, 2004. 408 s. Advanced Texts in Physics. ISBN 0387400923.


login
© 2011 Přírodovědecká fakulta Masarykovy univerzity. tel: +420 549 49 1111, e-mail:
Všechna práva vyhrazena.
Webmaster: Alan Kuběna,
Grafický design: © 2011 Mgr. Pavel Brabec,
Obsahová struktura: © 2011 Mgr. Zuzana Kobíková
Počet přístupů: 781532 od 2.8.2011