Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Information

This project doesn't include Faculty of Science. It includes Central European Institute of Technology. Official project website can be found on muni.cz.

Investor logo
Project Identification
TH01010419
Project Period
1/2015 - 12/2017
Investor / Pogramme / Project type
Technology Agency of the Czech Republic
MU Faculty or unit
Central European Institute of Technology
Cooperating Organization
Brno University of Technology
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii.
Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát.
Výzkum a vývoj nové generace TIGBT pro náročné aplikace.
Na SOI substrátu připraveném ve výrobní lince CZ2 bude vyvíjen vyrobní postup aktivní stuktury TIGBT součástky s použitím stávajících zařízení dostupných ve výrobní lince polovodičů CZ4. Veškeré mezioperační kontroly v průběhu výrobního procesu budou provedeny na měřicích zařízeních, které jsou rovněž dostupné v CZ4. Během vývoje vzniknou na výrobních zařízeních nové operační recepty potřebné pro zpracování SOI substrátů a/nebo pro vytvoření aktivní struktury TIGBT se sníženou vstupní kapacitou. Měření elektrických parametrů dokončených součástek bude provedeno rovněž s použitím stávajících měřících zařízení dostupných na výrobní lince CZ4.
Analýzy kvality povrchu křemíkových desek budou provedeny s použitím AFM mikroskopu u partnera projektu (VUT).

Publications

Total number of publications: 4


You are running an old browser version. We recommend updating your browser to its latest version.