Radim Čtvrtlík – Karbid křemíku: evoluce nebo revoluce v polovodičích?

Radim Čtvrtlík – Karbid křemíku: evoluce nebo revoluce v polovodičích?

Karbid křemíku (SiC) si díky svým specifickým vlastnostem a určité podobnosti technologických procesů používaných při jeho zpracování spolu s křemíkem vydobyl zásadní postavení mezi materiály s velkým zakázaným pásem. Unikátní kombinace vysoké tepelné vodivosti, odolnosti vůči radiaci a chemikáliím, a specifických elektrických vlastností z něj činí ideální volbu pro náročné aplikace ve výkonové elektronice. Zejména díky širokému zakázanému pásu mohou být součástky na bázi SiC provozovány při vyšších teplotách a napětích, a v důsledku toho pracovat efektivněji a spolehlivěji. V rámci přednášky budou představeny klíčové strukturní a fyzikální vlastnosti SiC spolu se základními technologickými procesy, přičemž důraz bude kladen na vymezení se vůči křemíku. Pozornost bude věnována také vysvětlení inovativního potenciálu karbidu křemíku ve výkonové elektronice.