Informace o projektu
Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu
- Kód projektu
- TH01011284
- Období řešení
- 1/2015 - 12/2017
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Technologická agentura ČR
- EPSILON
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Vysoké učení technické v Brně
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
- Odpovědná osoba doc. Mgr. Jan Šik, Ph.D.
VaV polovodičových materiálů a součástek s velkou šířkou zakázaného pásu energií (WBG) ve spolupráci průmyslového VaV a vědeckých pracovišť Středoevropského technologického institutu:
1) VaV nových WBG materiálů - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si.
2) VaV nových WBG součástek - především GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor).
3) VaV nových metod charakterizace WBG materiálů a součástek - především struktur GaN/AlGaN/AlN/Si.
Dosažení uvedených cílů projektu je přímo spojeno se zásadním rozvojem spolupráce s účelným propojení všech WBG aktivit v ČR (zejména FZÚ AV ČR, VŠCHT a ČVUT v Praze) pro reálný rozvoj nových výrobních technologií v ČR na světově konkurenceschopné úrovni. Dalším z cílů projektu je zapojení mladých výzkumných pracovníků.
Publikace
Počet publikací: 1
2017
-
Mid-infrared ellipsometry, Raman and X-ray diffraction studies of AlxGa1-xN/AlN/Si structures
Applied Surface Science, rok: 2017, ročník: 421, vydání: November, DOI