Growth of organic semiconductors on graphene: from the first monolayer formation to molecular multilayers (GOSG)

Investor logo
Project Identification
GA22-04551S
Project Period
1/2022 - 12/2024
Investor / Pogramme / Project type
Czech Science Foundation
MU Faculty or unit
Faculty of Science
Cooperating Organization
Charles University
Brno University of Technology

Cílem toho tohoto projektu je ucelený popis růstu organických polovodičů na grafenu. Tranzistory s řiditelnou Shottkyho bariérou založené na grafenu představují perspektivní koncept organických elektronických zařízení, který přináší řadu výhod: vysoký proud a operační rychlost, flexibilitu a škálovatelnost, přičemž jsou méně náročné na litografii. Nicméně, výzkum těchto zařízení vyžaduje komplexní přístup, neboť substrát určuje růst prvních molekulárních vrstev a ten následně vývoj struktury tenkých vrstev. V projektu se zaměříme na všechny následující body: (i) optimalizaci grafenu na SiC – jeho homogenitu, dopování a drsnost; (ii) popis závislosti kinetiky růstu molekul organických polovodičů na teplotě, depozičním toku a dopování grafenu, a (iii) popis struktury a morfologie tenkých vrstev organických polovodičů.

Publications

Total number of publications: 1


You are running an old browser version. We recommend updating your browser to its latest version.