Growth of organic semiconductors on graphene: from the first monolayer formation to molecular multilayers (GOSG)

Logo poskytovatele
Kód projektu
GA22-04551S
Období řešení
1/2022 - 12/2024
Investor / Programový rámec / typ projektu
Grantová agentura ČR
Fakulta / Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta
Spolupracující organizace
Univerzita Karlova v Praze
Vysoké učení technické v Brně

Cílem toho tohoto projektu je ucelený popis růstu organických polovodičů na grafenu. Tranzistory s řiditelnou Shottkyho bariérou založené na grafenu představují perspektivní koncept organických elektronických zařízení, který přináší řadu výhod: vysoký proud a operační rychlost, flexibilitu a škálovatelnost, přičemž jsou méně náročné na litografii. Nicméně, výzkum těchto zařízení vyžaduje komplexní přístup, neboť substrát určuje růst prvních molekulárních vrstev a ten následně vývoj struktury tenkých vrstev. V projektu se zaměříme na všechny následující body: (i) optimalizaci grafenu na SiC – jeho homogenitu, dopování a drsnost; (ii) popis závislosti kinetiky růstu molekul organických polovodičů na teplotě, depozičním toku a dopování grafenu, a (iii) popis struktury a morfologie tenkých vrstev organických polovodičů.

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.