Informace o projektu
Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
- Kód projektu
- GA202/97/0003
- Období řešení
- 1/1997 - 1/1999
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Spolupracující organizace
-
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
- Odpovědná osoba RNDr. Zbyněk Šourek, CSc.
Morfologie rozhraní monokrystalických multivrstev je důležitá pro jejich optické a elektrické vlastnosti. V projektu se budou studovat rozhraní multivrstev typu III-V a multivrstev SiGe/Si pěstovaných metodami MBE a MOVPE. Bude použita vysokorozlišující rtg difrakce ve spekulárním i difuzním módu, jakož i lokální tunelovací techniky, TEM a optická měření. Strukturní modely rozhraní založené na teorii náhodných procesů budou použity k interpretaci naměřených výsledků. Bude sledována závislost morfologie rozhraní na krystalografické orientaci, chemickém složení a parametrech růstu multivrstev. Bude též studována korelace kvality rozhraní se strukturní kvalitou epitaxních vrstev studovanou pomocí vysokorozlišující rtg difraktometrie. Výsledky experimentů budou použity k optimalizaci parametrů epitaxního růstu.
Publikace
Počet publikací: 5
1999
-
Lateral arrangement of self-assembled quantum dots in an SiGe/Si supertattice
Semicond. Sci. Technol., rok: 1999, ročník: 32(1999), vydání: -
-
X-ray diffraction from quantum wires and quantum dots
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, rok: 1999, ročník: (10)1999, vydání: -
1998
-
Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113)
Appl. Phys. Lett., rok: 1998, ročník: 73(1998), vydání: -
-
High-resolution x-ray scattering from thin films and multilayers
Rok: 1998, počet stran: 256 s.
-
X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers
Semicond. Sci. Technol., rok: 1998, ročník: 13(1998), vydání: -