Informace o projektu
Kvantové tečky v polovodičích III-V

Logo poskytovatele
Kód projektu
GA202/99/1613
Období řešení
1/1999 - 1/2001
Investor / Programový rámec / typ projektu
Grantová agentura ČR
Fakulta / Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta
Spolupracující organizace
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Studium růstu a vlastností kvantových teček ("Quantum Dots" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE), s využitím Stranského-Krastanowova mechanismu růstu. Ovlivnění růstu QD typem a volbou orientace, případně rozorientace, substrátu. Pokusy o růst QD na bázi GaSb a legování systému InAs/GaAs křemíkem. Srovnání struktur vypěstovaných metodou MOVPE se vzorky deponovanými epitaxí z molekulárních svazků (MBE). Strukturní a jiné fyzikální vlastnosti vzorků QD pomocí rentgenového rozptylu, optických metod (luminiscence, reflektivita a elipsometrie), Ramanovy spektroskopie, magnetotransportu a rastrovacích mikroskopických technik. Srovnání luminiscenčních a absorpčních mechanismů v optické odezvě, v korelaci se strukturními a transportními vlastnostmi. Ovlivnění lokalizovaných elektronových stavů v QD přítomností dopantů v okolní matrici.

Publikace

Počet publikací: 3


Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.